Infineon IRFB4332PBF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Verwandte Teile
InfineonIRFB4227PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 19.7 Milliohms;ID 65A;TO-220AB;PD 330W
InfineonIRFB38N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.054Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 300W;VGS +/-30V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB4332PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFB4332PBF N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB
Single N-Channel 250 V 33 mOhm 99 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans Mosfet N-Ch 250V 60A 3-Pin(3+Tab) To-220Ab Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 250V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):33mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:390W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:4332; Current Id Max:60A; N-channel Gate Charge:99nC; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:390W; Power Dissipation Pd:390mW; Pulse Current Idm:230A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Dual Supply Voltage250 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance5.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation390 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance33 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation390 W
Rds On Max33 mΩ
Recovery Time290 ns
Resistance33 MΩ
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen