Infineon IRFB3306GPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF1010EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 84A;TO-220AB;PD 200W;gFS 69S
InfineonIRFB3206GPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
NXP SemiconductorsBUK7506-55B,127
Trans MOSFET N-CH 55V 145A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB3306GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
MOSFET, 60V, 160A, 4.2 MOHM, 85 NC QG, TO-220AB, HALOGEN-FREE
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Trans MOSFET N-CH 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:160A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V; Power Dissipation, Pd:230W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -85.71%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.52 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.2 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max4.2 mΩ
Rise Time76 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm