Infineon IRF7480MTRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS7434TRL7PP
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
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InfineonIRL7486MTRPBF
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7480MTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
On a Reel of 4800, N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 6 + Tab-Pin ME Infineon IRF7480MTRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME package, MG-WDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.2 mOhm 123 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins10
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)217 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.2 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation96 W
Rds On Max1.2 mΩ
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height700 µm