Infineon IRF7301PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-08-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7301PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.05ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Dual N-Channel 20 V 0.05 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:5.2A; On Resistance, Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:1.4W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5.2A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:c; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Power Dissipation Pd:1.4W; Power Dissipation Pd:1.4W; Pulse Current Idm:17A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7301; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:700mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Current Rating5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance660 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs700 mV
Number of Elements2
On-State Resistance50 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Rds On Max50 mΩ
Recovery Time44 ns
Resistance50 mΩ
Rise Time42 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen