Infineon IRF7241TRPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Verwandte Teile
InfineonIRF7241PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -40V;RDS(ON) 25Milliohms;ID -6.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF7201TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7241TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -40V;RDS(ON) 25Milliohms;ID -6.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Single P-Channel 40 V 41 mOhm 53 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
P CHANNEL MOSFET, -40V, 6.2A, SOIC; Tran; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.2A;
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOIC, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
P Channel Mosfet, -40V, 6.2A, Soic; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:6.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF7241TRPBF.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Current Rating-6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance41 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.22 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance41 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max41 mΩ
Resistance41 MΩ
Rise Time280 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time210 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen