Infineon IRF6100PBF
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6100PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a 4-Lead FlipFET package
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-5.1A; On Resistance, Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:4 Lead FlipFET ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, P, FLIPFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:5.1A; On State Resistance:65mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1.2V; Case Style:FlipFET; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:35A; Power Dissipation Pd:2.2W; SMD Marking:IRF6100; Voltage, Vds Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.23 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.2 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max65 mΩ
TerminationSMD/SMT
Datenblätter und Dokumente
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