Infineon IRF40B207
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Verwandte Teile
InfineonIPA041N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP / N-Channel 40 V 70A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
InfineonIRL8114PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP160N3LL
N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF40B207, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Brushed Motor drive applications | MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 40V, 95A, To-220Ab; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:95A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.0036Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF40B207
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)95 A
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation83 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen