Infineon IRF3704ZSPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRL3715SPBF
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK / N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount D2PAK
InfineonIRFS7762PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIPB70N04S406ATMA1
40V, N-Ch, 6.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3704ZSPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 20V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:67A; On Resistance, Rds(on):7.9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 20V, D2-PAK; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:77A; Resistance, Rds On:0.009ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Base Number:3704; Current, Idm Pulse:308A; No. of Pins:3; Power Dissipation:87mW; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Max:3V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating67 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance7.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.22 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.1 V
Number of Elements1
On-State Resistance7.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation57 W
Rds On Max7.9 mΩ
Recovery Time17 ns
Resistance7.9 MΩ
Rise Time38 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time8.9 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen