Infineon IPW65R420CFDFKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-07
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW65R420CFDFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
83.3W(Tc) 20V 4.5V@ 340µA 32nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 420mΩ@ 3.4A,10V 8.7A 870pF@100V TO-247 Through hole mounting
Mosfet, N-Ch, 650V, 8.7A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.7A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.378Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R420CFDFKSA1
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.7 A
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance870 pF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83.3 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance420 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation83.3 W
Rds On Max420 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time10 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen