Infineon IPT015N10NF2SATMA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2022-08-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPT015N10NF2SATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 315 A, 1.5 MilliOhms, HSOF, 8 Pins, Surface Mount
N-Channel 100V 35 A 3.8 W StrongIRFET 2 Power Transistor MOSFET - PG-HSOF-8
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Power Field-Effect Transistor, 315A I(D), 100V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon IPT015N10NF2SATMA1 MOSFET
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 315A, HSOF;
3.8W(Ta)，300W(Tc) 20V 3.8V@ 267µA 242nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 1.5mΩ@ 150A,10V 5A 11nF@50V SMD mount
MOSFET, N-CH, 100V, 315A, HSOF;
NCH 100V 315A 1,5mOhm TOLL (HSOF-8)
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 1.5 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)315 A
Drain to Source Resistance1.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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