Infineon IPD50P04P413ATMA2

Name: Infineon IPD50P04P413ATMA2
Brand: Infineon
SKU: IPD50P04P413ATMA2

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.509

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPD50P04P413ATMA2	5.000	2500						0,411	2d
Newark		IPD50P04P413ATMA2	3.383	1	Cut Tape	1,670	1,060	0,709	0,509	0,509
Arrow Electronics		IPD50P04P413ATMA2	1.847	1		0,501	0,501	0,501	0,501	0,501
Rochester Electronics		IPD50P04P413ATMA2	52.532					0,535	0,444	0,396	21h
DigiKey	3	448-IPD50P04P413ATMA2CT-ND	19.446	1	Cut Tape	1,740	1,101	0,736	0,528	0,528

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Datasheet9 SeitenVor 6 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-07-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD50P04P413ATMA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Verical

Transistor MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin TO-252 T/R

Avnet Japan

IPD50P04P4 Series 40 V 50 A P-Channel OptiMOS-P2 PPower Transistor - TO-252-3

Future Electronics

Mosfet, Aec-Q101, P-Ch, -40V, -50A, 58W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50P04P413ATMA2

Newark

Compliant Surface Mount 2.5 mm 28 ns Contains Lead Tape & Reel 10 ns 12.6 mΩ

Augswan

90004001,场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -40V, -50A, 58W;

element14 APAC

Infineon MOSFET IPD50P04P413ATMA2

RS APAC

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0126ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

Infineon PMOS, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252), , 3

UnikeyIC

Bilder

RS APAC

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: