Infineon IPD25DP06LMATMA1
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-03-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD25DP06LMATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, P-Ch, -60V, -6.5A, 175Deg C, 28W Rohs Compliant: Yes |Infineon IPD25DP06LMATMA1
Transistor MOSFET P-CH 60V 6.5A 3-Pin TO-252 T/R
Infineon PChannelMOSTube, Vds=60 V, 6.5 A, TO-252encapsulation, surface mount, 3Pin
Trans MOSFET P-CH 60V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal and logic level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation28 W
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen