Infineon IPD028N06NF2SATMA1
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Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2024-09-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD028N06NF2SATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 139 A, 2.85 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
IPD028N06NF2S Series 60 V 139 A 2.85 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-252-3
Infineon N-Channel MOSFET Vds=60V 139A PG-TO252-3 SMD 3-Pin
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 139A, TO-252;
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features low RDS(on) of 2.85 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Technical
Drain to Source Resistance2.85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V