Infineon IPB65R190CFD
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Preis und Lagerbestand
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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB65R190CFD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Transistor, N Channel, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
151W 20V 68nC@10V 1 N-Ch 650V 190mΩ@10V 1.85nF@100V TO-263-3 SMD, Adhesive Mount 10mm × 9.25mm × 4.4mm
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IPB65R190CFD Infineon Technologies
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation165 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation151 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time8.4 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time53.2 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen