Infineon IPB65R065C7ATMA2
$ 3.992
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IPB65R065C7ATMA2 | 1.000 | 1K | 6d | ||||||||
| Newark | IPB65R065C7ATMA2 | 990 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPB65R065C7ATMA2 | 10.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB65R065C7ATMA2 | 940 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IPB65R065C7ATMA2CT-ND | 2.220 | 1 | Cut Tape |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.91%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB65R065C7ATMA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 / N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Mosfet, N-Ch, 650V, 33A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA2
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.91%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation171 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation171 W
Rds On Max65 mΩ
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.7 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen