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Infineon IPB110P06LMATMA1

Transistor Mosfet P-ch 60V 100A 3-PIN TO-263 T/r
$ 1.893
Production
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IHS

Datasheet11 SeitenVor 0 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginAustria, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB110P06LMATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin TO-263 T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in D²PAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal and logic level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB110P06LM
  • SP004987252