Infineon IPA65R380E6XKSA1

31W 20V 39NC@ 10V 1N 700V 380M¦¸@ 10V 10.6A 710PF@ 100V TO-220 10.65MM*4.85MM*16.15MM
$ 0.859
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPA65R380E6XKSA1 herunter.

Newark

Datasheet17 SeitenVor 8 Jahren

Upverter

IHS

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-1.59%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPA65R380E6XKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-06-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 weeks ago)

Verwandte Teile

Transistor MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin TO-220FP Tube
E Series N Channel 650 V 380 mO 70 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Transistor MOSFET N-Channel 650V 11.4A 3-Pin TO-262 Tube
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 10 A, 400 mΩ, TO-220F
onsemiFCP380N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600V, 10.2A, 380mΩ, TO-220
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPA65R380E6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

31W 20V 39nC@ 10V 1N 700V 380m¦¸@ 10V 10.6A 710pF@ 100V TO-220 10.65mm*4.85mm*16.15mm
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 650V, 10.6A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease-of-use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ E6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ E6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPA65R380E6
  • SP000795282