Infineon IKW50N60TFKSA1

IGBT 600V 80A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 2.886
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IKW50N60TFKSA1 herunter.

TME

Datasheet13 SeitenVor 12 Jahren

Upverter

element14 APAC

_legacy Avnet

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-11.53%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IKW50N60TFKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Verwandte Teile

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 429000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IHW50N65R5 Series 650 V 80 A 282 W Reverse Conducting IGBT - PG-TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 290W TO247
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 349W TO-247-3

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IKW50N60TFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IGBT 600V 80A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
600 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, N, 600V, 50A, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:333W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:50A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:333W; Power Dissipation Pd:333W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Hard-switching 600 V, 50 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IKW50N60T
  • SP000054888