Infineon FZ2400R17HP4B29BOSA2

1700 V, 2400 A single switch IGBT module, AG-IHMB190-1-9, RoHS
$ 1,200.34
Production
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DistributorSKUMinPkg
DigiKeyFZ2400R17HP4B29BOSA2-ND11Tray
NewarkFZ2400R17HP4B29BOSA201
Future ElectronicsFZ2400R17HP4B29BOSA201Tray
AvnetFZ2400R17HP4B29BOSA201
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Arrow ElectronicsFZ2400R17HP4B29BOSA201

Datenblätter und Dokumente

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Infineon

Datasheet1 SeiteVor 12 Jahren

Farnell

Newark

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonFZ2400R17HP4B29BOSA2
InfineonFZ2400R17HP4B9HOSA2
InfineonFZ2400R17HP4B9HOSA2
Price @ 1000
$ 1,200.34
$ 913.34
$ 913.34
Stock
278,310
247,911
247,911
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
-
Screw
Screw
Case/Package
-
Module
Module
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
1.7 kV
1.7 kV
Max Collector Current
2.4 kA
2.4 kA
2.4 kA
Power Dissipation
15.5 kW
15.5 kW
15.5 kW
Collector Emitter Saturation Voltage
2.25 V
2.25 V
2.25 V
Reverse Recovery Time
-
-
-

Lieferkette

Country of OriginGermany, Hungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon FZ2400R17HP4B29BOSA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

1700 V, 2400 A single switch IGBT module, AG-IHMB190-1-9, RoHS
Infineon SCT
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.7KV, 2.4KA; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 2.4kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.9V; Power Dissipation Pd: 15.5kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV;
Farnell
Igbt, Single Switch, 1.7Kv/2.4Ka, Module; Continuous Collector Current:2.4Ka; Collector Emitter Saturation Voltage:1.9V; Power Dissipation:15.5Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FZ2400R17HP4B29BOSA2
Newark
1700V IHMB 190mm single switch IGBT Module with soft-switching Trench-IGBT4 and bigger housing - The best solution for your traction and industry applications | Summary of Features: Extended Operation Temperature T(vj op); Enlarged Diode for regenerative operation; Low V(CEsat); 4kV AC 1min Insulation; AlSiC Base Plate for increasing Thermal Cycling Capability; Package with CTI > 400; High Creepage and Clearance Distances; High Power and Thermal Cycling Capability; UL recognised | Benefits: High Power Density; Standardized housing | Target Applications: drives; wind; traction; cav
Infineon

Bilder

element14 APAC
iiiC
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FZ2400R17HP4 B29
  • FZ2400R17HP4-B29
  • FZ2400R17HP4B29
  • FZ2400R17HP4_B29
  • SP001031900