Infineon FS75R12KE3GBOSA1
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Lieferkette
Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon FS75R12KE3GBOSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Infineon FS75R12KE3GBOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 100 A 1200 V, 35-Pin ECONO3, PCB Mount
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray
EconoPACK™3 1200 V, 75 A sixpack IGBT module with IGBT3 and NTC. Also available as fast switching device: FS75R12KT3G
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 100A ±20V Screw Tray
Avnet Japan
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
1200 V, 75 A sixpack IGBT module, AG-ECONO3-4, RoHS
Infineon SCT
IGBT Module N-CH 1.2KV 105A AG-ECONO3-4
RS APAC
IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE
IC REG LINEAR TERM SUPPORT CIRC
IGBT, MODULE, N-CH, 650V, 150A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 355W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor
Igbt, Six Pack, 1.2Kv, 100A, Module; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.7V; Power Dissipation:355W; Operating Temperature Max:125°C; Igbt Termination:Press Fit; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FS75R12KE3GBOSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals35
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current100 A
Max Collector Current100 A
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature125 °C
Max Power Dissipation350 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements6
Package Quantity10
Power Dissipation355 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time420 ns
Turn-On Delay Time260 ns
Dimensions
Height17.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen