Infineon FF200R12KT3HOSA1

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 295A 20V Screw Mount Tray
$ 119.365
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsFF200R12KT3HOSA16
11h
DigiKey448-FF200R12KT3HOSA1-ND81Tray
AvnetFF200R12KT3HOSA1010
3d
Arrow ElectronicsFF200R12KT3HOSA1010
FarnellFF200R12KT3HOSA101
10h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon FF200R12KT3HOSA1 herunter.

Infineon

Datasheet1 SeiteVor 14 Jahren

IHS

Elcodis

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonFF200R12KT3HOSA1
InfineonFF200R12KT3EHOSA1
Price @ 1000
$ 119.365
$ 121.423
Stock
96,310
56,313
Authorized Distributors
5
3
Mount
Screw
Screw
Case/Package
Module
Module
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
Max Collector Current
295 A
295 A
Power Dissipation
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.15 V
2.15 V
Reverse Recovery Time
-
-

Lieferkette

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-18
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 weeks ago)

Verwandte Teile

InfineonBSM200GB60DLC
BSM200GB60 Series 600 V 230 A 730 W Chassis Mount IGBT Module
Details
InfineonFF300R07ME4_B11
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Details
MicrochipAPTGT150DA60T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT150DA60T1G
Details
MicrochipAPTGT150H60TG
Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 480000mW 20-Pin Case SP-4 Tube
Details
onsemiFMG2G300US60
Trans IGBT Module N-CH 600V 300A 8-Pin PM-IA
Details
InfineonFF300R12KS4HOSA1
Infineon FF300R12KS4HOSA1 Series IGBT Module, 370 A 1200 V, 3-Pin 62MM Module, Panel Mount
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon FF200R12KT3HOSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 295A 20V Screw Mount Tray
Avnet
Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 295A 7-pin 62MM-1
EBV Elektronik
1200 V dual IGBT module, AG-62MM-1-7, RoHS
Infineon SCT
Trench and Field Stop IGBT Module
Verical
IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
DigiKey
62 mm 1200 V, 200 A dual switch IGBT modules with fast TRENCHSTOP™ IGBT3 and Emitter Controlled high efficiency diode. Also available as variation with common emitter: FF200R12KT3_E.
Infineon
Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 295A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:295A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:1.05Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FF200R12KT3HOSA1
Newark

Bilder

Augswan
UTSource
LZChips
Farnell

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FF200R12KT3
  • SP000100789