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Verwandte Teile
InfineonBSP296NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 / N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
InfineonBSP171PL6327HTSA1
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NXP SemiconductorsPMT760EN,135
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMT760EN,115
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP315PL6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 1.17A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSP315 SIPS SMALL-SIGNAL P-CHANNEL;
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.17 A
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance160 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time24 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen