Infineon BSP170PL6327HTSA1
Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
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Verwandte Teile
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MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
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Diodes Inc.DMN6068SE-13
N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP170PL6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
1.9 A 60 V 0.3 ohm P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
Keine Daten verfügbar
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max300 mΩ
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen