Infineon BSP149L6327
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2013-05-15
LTD Date2013-11-15
Verwandte Teile
InfineonBSP149H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 660 mA, 1.8 Ohm, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
VishayIRFL214TRPBF
MOSFET, N-CH, 250V, 0.79A, SOT-223; Available until stocks are exhausted Alternative available
Diodes Inc.ZVN2120GTA
MOSFET N-Ch 200V 320mA 10Ω@250mA,10V 85pF@25V SOT-223-3 SMD 6.7mm × 3.7mm × 1.65mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP149L6327, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
SIPMOS SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.8W 20V 1V 11nC@ 5V 1individualNChannel 200V 1.8Ω@ 10V 660mA 326pF@ 25V SOT SMD mount，Through hole mounting 6.5mm*3.5mm*1.6mm
MOSFET, N, REEL 1K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:0.48A; Resistance, Rds On:1.8ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:-1.4V; Case Style:SOT-223; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, REEL 1K; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:480mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V; Power Dissipation Pd:1.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; Current Id Max:660mA; Current Temperature:25°C; External Depth:7.3mm; External Length / Height:1.7mm; External Width:6.7mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Ptot Max:1.8W; Pulse Current Idm:1.44A; Reel Quantity:1000; SMD Marking:BSP149; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:700mV
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)660 mA
Current Rating140 mA
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance430 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.4 V
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max1.8 Ω
Rise Time3.4 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Width6.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen