Intersil IRF520
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-01-01
Beschreibungen
Beschreibungen von Intersil IRF520, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE TO-220AB SILICON Mosfet Transistor 9.2A 100V 0.27Ohm
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Intersil verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Intersil ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- INTER
- INTERS
- ISL
- INTERSI
- Intersil Corporation
- INTERSIL CORP
- INTESIL
- INSL
- INTR
- INTERSL
- INTS
- Intersil (Renesas Electronics America)
- Harris Semiconductor
- INTERSIL/HARRIS
- INTRSL
- INTSL
- INERSIL
- HARRIS SEMI
- Intersil (Renesas Electronics Corporation)
- Intersil(Renesas Electronics)
- INTERSIL CHINA LIMITED
- Intersil / Renesas
- INTERSIL/PBF
- Harris / Intersil
- INTERSIL A RENESAS COMPANY
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Resistance270 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage100 V
Number of Elements1
Power Dissipation60 W