GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214
$ 26.718
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.3A, 3300V V(RRM), Silicon Carbide, DO-214
Rectifier Diode Schottky SiC 3.3KV 0.3A 2-Pin SMB
DIODE, SCHOTTKY, 300MA, 3.3KV, DO-214AA
3300V 0.3A DO-214 SiC Schottky MPS™
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
3.3KV 2A 0¦Ìs 10¦ÌA 300mA SMB(DO-214AA) 2.44mm
Aliasnamen des Herstellers
GeneSiC Semiconductor verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. GeneSiC Semiconductor ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight93.099834 mg
Technical
Average Rectified Current300 mA
Capacitance93 pF
Current Rating300 mA
Element ConfigurationSingle
Forward Current300 mA
Forward Voltage2.2 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)2 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Output Current300 mA
Max Power Dissipation105 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)3.3 kV
Max Reverse Voltage (DC)3.3 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Natural Thermal Resistance1.42 °C/W
Number of Elements1
Peak Reverse Current1 µA
Reverse Recovery Time0 s
Reverse Standoff Voltage3.3 kV
Dimensions
Height2.44 mm
Datenblätter und Dokumente
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