GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
1200V 350mΩ TO-263-7 G3R™ SiC MOSFET
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 8-Pin(7+Tab) TO-263
场效应管, MOSFET, SIC, N沟道, 1.2KV, 11A, 75W;
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1200V, 0.395ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 11A, 75W; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:75W Rohs Compliant: Yes |Genesic G3R350MT12J
Aliasnamen des Herstellers
GeneSiC Semiconductor verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. GeneSiC Semiconductor ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance395 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation64 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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