Diodes Inc. ZXTP2008GTA
$ 0.43
Production
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -98.14%
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Alternative Teile
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.FZT1149ATA
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTP2008GTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
210mV@ 500mA,5.5A PNP 3W 7V 20nA 50V 30V 5.5A SOT-223-3 SMD mount 6.5mm*3.5mm*1.65mm
ZXTP2008G Series 30 V 5.5 A PNP SMT Silicon Low Saturation Transistor - SOT-223
PNP TRANSISTOR 30V 5,5A SOT223 RoHSconf
Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -98.14%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-210 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current-5.5 A
Current Rating-5.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency110 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current5.5 A
Max Frequency110 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation3 W
Transition Frequency110 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen