Diodes Inc. ZXTP05120HFFTA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Toshiba2SA1163-GR(TE85L,F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
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Diodes Inc.ZXTP19060CFFTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 4 A, 1.5 W, SOT-23F, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTP05120HFFTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.001A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
ZXTP05120HFF Series 120 V 1 A PNP Medium Power Darlington Transistor SOT-23F
2V@ 2mA,2A PNP - Darlington 2W 10V 10¦ÌA 140V 120V 1A SOT-23F 3mm*1.7mm*1mm
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, SOT-23F; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:14000; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23F; Av Current Ic:1A; Case Style:SOT-23F; Current Ic @ Vce Sat:1A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Max Current Ic Continuous a:2A; Max Power Dissipation Ptot:1.5W; Max Voltage Vce Sat:1.7V; Min Gain Bandwidth ft:150MHz; Min Hfe:3000; No. of Transistors:1; Power Dissipation:1.5W; Pulsed Current Icm:4A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar Darlington; Voltage Vcbo:140V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight48.789529 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage900 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Continuous Collector Current-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-10 V
hFE Min2000
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current1 mA
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen