Diodes Inc. ZXTN649FTA
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DSS30101L Series 30 V 1 A Low VCE(SAT) NPN Surface Mount Transistor - SOT-23-3
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN649FTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT NPN 25V 3A 725mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - BJT Zetex Med. Power NPN
300mV@ 300mA,3A NPN 725mW 7V 50nA 35V 25V 3A SOT-23-3
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -65.56%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)35 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Continuous Collector Current3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min50
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation725 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen