Diodes Inc. ZXMP6A13FQTA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMN6A07FTA
Diodes Incorporated N-Channel Enhancement MOSFET, Vds=60V, 1.2A, SOT-23, SMD, 3-Pin
Diodes Inc.2N7002-7-F
2N7002 Series 60 V 7.5 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
InfineonBSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Vishay2N7002K-T1-GE3
2N7002K Series N-Channel 60 V 2 Ohm 0.6 nC MosFet Surface Mount - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMP6A13FQTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ZXMP6A13FQ Series 60 V 400 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
625mW(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 2.9nC@ 4.5 V 1individualPChannel 60V 400m¦¸@ 900mA,10V 900mA 219pF@30V SOT-23-3 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1.03mm
MOSFET, AEC-Q101, P CH, -60V, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-900mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance219 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation806 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation806 mW
Rds On Max400 mΩ
Schedule B8541210080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen