Diodes Inc. ZXMP4A16KTC
$ 0.681
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | ZXMP4A16KTC | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | ZXMP4A16KTCCT-ND | 18.059 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXMP4A16KTC | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXMP4A16KTC | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMP4A16KTC | 0 | 5 | Bulk | 5h |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP4051LK3-13
P Channel 40 V 51 mO 8.9 W 14 nC Surface Mount Power MosFet - TO-252 (DPAK)
Diodes Inc.DMN4036LK3-13
Mosfet, N-Ch, 40V, 8.5A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4036LK3-13
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMP4A16KTC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 40 V 0.06 Ohm Enhancement Mode MOSFET - TO-252
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 40V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 40V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex PMOS, Vds=40 V, 9.9 A, DPAK (TO-252), , 3
MOSFET P-CHANNEL 40V 9.9A DPAK
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating-9.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance965 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation9.5 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36.8 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen