Diodes Inc. ZXMN3AMCTA
$ 0.268
Production
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
onsemiNTMFD4C50NT1G
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL / 12A (Ta) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN3AMCTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ZXMN3AMC Series 30 V 120 mOhm 2.9A Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet-DFN3020-B-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 3.7A 8-Pin DFN3020B T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.45 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.45 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time2.3 ns
Turn-Off Delay Time6.6 ns
Turn-On Delay Time1.7 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen