Diodes Inc. ZTX789A
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Verwandte Teile
onsemiKSB564ACGTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
onsemiKSB564AYTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP KSB564 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZTX789A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
500mV@ 100mA,3A PNP 1W -5V 100nA -25V 25V 3A EP-3SC , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
Trans GP BJT PNP 25V 3A 1000mW 3-Pin E-Line
TRANSISTOR, PNP, E-LINE; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:450mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic @ Vce Sat:2A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:200; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:25V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)25 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage450 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Continuous Collector Current-3 A
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-25 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen