Diodes Inc. MMDT3906-7-F
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Stock
3,946,803
9,948,358
9,948,358
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-363
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-400 mV
-400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
200 mW
150 mW
150 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. MMDT3906-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MMDT3906 Series Dual PNP 40 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-363 Bipolar (BJT) ROHS
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual PNP, 40 V, 200 mA
BIPOLAR TRANSISTOR DUAL PNP SOT-363 ROHS 3K<AZ
Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max Npn:-; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-40V; Continuous Collector Current Npn:-; Continuous Collector Current Pnp:200Ma; Power Dissipation Npn:-; Power Dissipation Pnp:200Mw Rohs Compliant: No |Diodes Inc. MMDT3906-7-F.
TRANSISTOR, PNP/PNP, SOT363; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Collector Emitter Voltage Vces:-400mV; Current Ic Continuous a Max:-200mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Small Signal
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current-200 mA
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen