Diodes Inc. FZT1048ATA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.FZT1049ATA
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Diodes Inc.FZT1047ATA
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Diodes Inc.FZT1051ATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FZT1048ATA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
FZT1048 Series NPN 17.5 V 5 A 500 mW High Voltage Transistor - SOT223
Trans GP BJT NPN 17.5V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 17.5V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
350mV@ 25mA,5A NPN 3W 5V 10nA 50V 17.5V 5A SOT-223-3 1.65mm
TRANSISTOR, NPN, 17.5V, 5A, SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:17.5V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:2.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage17.5 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)17.5 V
Continuous Collector Current5 A
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage17.5 V
Max Collector Current5 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation2.5 W
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)17.5 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen