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Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FMMT5179TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
NPN Bipolar Transistor SOT23
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
Bipolar Transistors - BJT NPN RF
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)2.5 V
Gain15 dB
Gain Bandwidth Product2 GHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation330 mW
Transition Frequency900 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
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