Diodes Inc. FCX591TA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHM2SB1561T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHMDTA023YEBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FCX591TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 60V 1A SOT-89
FCX591 Series PNP 1 A 60 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
General Purpose Transistors PNP Ic=1A Vceo=60V hfe=100 P=1W SOT89-3
600mV@ 100mA,1A PNP 2W 7V 100nA 80V 60V 1A SOT-89-3 1.6mm
TRANSISTOR, PNP, 60V, 1A, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current-1 A
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen