Diodes Inc. DNLS320E-13
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Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DNLS320E-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DNLS320E Series 20 V 3 A Surface Mount NPN Bipolar Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 20V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
450mV@ 20mA,3A NPN 1W 5V 100nA 20V 20V 3A SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.6mm
Pwr Low Sat Transistor Sot223 T&r 2.5K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DNLS320E-13
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage450 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min150
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Manufacturer Package IdentifierDNLS320E-13
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen