Diodes Inc. DDA114YU-7-F
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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DDA114YU-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
300mV@ 250¦ÌA,5mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-363 2.2mm*1mm
PNP BIASED SIGNAL DUAL TRANSISTOR SOT363
Prebias Transistor Sot363 T&r 3K
RF TRANSISTOR, 50V, 0.1A, SOT-363;
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min68
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current70 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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