Diodes Inc. DCX69-13
$ 0.162
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-03-15
LTD Date2021-03-15
Verwandte Teile
Diodes Inc.2DB1424R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DCX68-25-13
DCX68 Series NPN 1 W 20 V 1 A Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-89
ROHM2SB1424T100Q
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1424T100R
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemiKSD1621RTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DCX69-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 20V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
500mV@ 100mA,1A PNP 1W 5V 100nA 25V 20V 1A SOT-89-3 4.5mm*2.48mm*1.5mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)25 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen