Diodes Inc. BC847AT-7-F
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-02-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.BC847CT-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.DDTC115EE-7-F
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R / TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BC847AT-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BC847AT Series NPN 45 V 150 mW Bipolar Transistor Surface Mount - SOT-523
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
General Purpose Transistors NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=110~220 P=150mW SOT523
TRANSISTOR, NPN, SOT523; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110hFE; Transistor Cas
Transistor, Npn, 45V, 100Ma, 150Mw, Sot-523; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:45V; Frecuencia De Transición Ft:100Mhz; Disipación De Potencia Pd:150Mw; Corriente De Colector Dc:100Ma; Núm. De Contactos:3 |Diodes Inc. BC847AT-7-F
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-523
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.012816 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
TypeGeneral Purpose
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen