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ATI ACCURATE TECHNOLOGY

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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