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ATI ACCURATE TECHNOLOGY

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Ergebnisse: 2.148
Trans MOSFET N-CH Si 500V 48A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 162mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element
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RECTIFIER DIODE MODULE Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 171A, 1800V V(RRM), Silicon
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IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount 7PM-GA
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
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Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 162mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 360000mW 24-Pin EconoPIM3
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