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ATI ACCURATE TECHNOLOGY

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Ergebnisse: 2.148
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Herstellerseite
DistributorSKUMinPkgBulk PricingUpdated
NewarkCM150E3U-24H010
ATI ACCURATE TECHNOLOGYCM150E3U-24H-MITSUBISHI1USD
3h
Semikron
SKKH 570/12 E
$ 561,990
Thyristor/diode Modules; 1.44 V(max); 1700/1600 V (rms)
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Herstellerseite
Semikron
SKKD15/08
$ 33,720
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 800V V(RRM), Silicon
MITSUBISHI IGBT Module
Powerex
CDD10810
$ 35,370
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 800V V(RRM), Silicon
Herstellerseite
Semikron
SKT 24/14E
$ 48,750
Thyristor/diode Discretes; Hermetic Metal Case With Glass Insulator; 400V; 50A
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Herstellerseite
DistributorSKUMinPkgBulk PricingUpdated
NewarkCM200DU-12H010
ATI ACCURATE TECHNOLOGYCM200DU-12H-MITSUBISHI4USD
3h
Renesas
CM75TX-24S
$ 119,880
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Herstellerseite
Semikron
SKB 26/14
$ 34,800
Power Bridge Rectifiers; Avalanche Type Reverse Characteristic Up to 1700V Tran